Single Sided Wafer Óxido de Silício Polido em em em Sio2
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Ficha técnica do produto
| Características | Especificações |
|---|---|
| Tipo | Outros |
| Origem | CN (origem) |
Type1: 4 polegadas camada de óxido 100nm (folha de alta qualidade)
Type2: camada do óxido de 4 polegadas 200nm (folha de alta qualidade)
Type3: 4 polegadas camada de óxido 285nm (folha de alta qualidade)
Type4: 4 polegadas camada de óxido 300nm (folha de alta qualidade)
Type5: 4 polegadas camada de óxido 500nm (folha de alta qualidade)
Type6: 4 polegadas ultra espessura oxidação 1000nm
Type7: placa de oxidação 6 polegadas (espessura oxidação opcional)
Type8: placa da oxidação 2 polegadas (espessura opcional da oxidação)
Type9: 10*10mm óxido camada silício wafer
Type10: 4 polegadas única face bolacha de silício polido
Type11: 4 polegadas Prime grau único face polimento
Type12: Oxidação ultra fina 20-500nm opcional
Type13: 4 polegadas ultra grosso oxidação 2000nm
Tipo14: oxidação ultra grossa 3000nm de 4 polegadas
1. Sio2 Single Sided Wafer Óxido de Silício Polido 2 em 4 em 6 em – Nome da Marca : Bingoelec
2. Toys e Sports – Origem : cn Origem
3. Beauty e Health – Nome da Marca : Bingoelec
4. Phones e Accessories – Material : Tempered Glass
5. Sio2 Single Sided Wafer Óxido de Silício Polido 2 em 4 em 6 em – Nome da Marca : Bingoelec
6. Toys e Sports – Origem : cn Origem
7. Beauty e Health – Nome da Marca : Bingoelec
8. Phones e Accessories – Material : Tempered Glass
9. Sio2 Single Sided Wafer Óxido de Silício Polido 2 em 4 em 6 em – Nome da Marca : Bingoelec
10. Toys e Sports – Origem : cn Origem
11. Beauty e Health – Nome da Marca : Bingoelec
12. Phones e Accessories – Material : Tempered Glass
13. Sio2 Single Sided Wafer Óxido de Silício Polido 2 em 4 em 6 em – Nome da Marca : Bingoelec
14. Toys e Sports – Origem : cn Origem
15. Beauty e Health – Nome da Marca : Bingoelec
| Relativamente a facturas | Se o cliente precisar emitir uma fatura, observe a unidade de fatura e o número fiscal |
| Nome do produto | 4 polegadas processo de oxidação térmica camada óxido silício wafer |
| Modo do crescimento | Cristal único Czochralski (CZ) |
| Diâmetro e tolerância |
50,8 milímetros 100 milímetros 150 milímetros ± 0,1 milímetros |
| Tipo doping | Tipo N (dopado com fósforo, arsênico, antimônio) Tipo P (dopado com boro) |
| Orientação do cristal | <111>\<100>\<110> |
| Resistividade | Baixa resistência 0.001-0.005 0.01-0.02 Resistência média 1-5 1-10 10-20 Alta resistência> 10000 (O • cm) 400 opções de parâmetros |
| Dados do processo | Planicidade TIR:< 3µ m. Warpage TTV:< 10µ m. Dobra BOW< 10µ m. Rugosidade <0.5nm, Granularidade <10 (para tamanho> 0.3µ m) |
| Método do empacotamento | Embalagem a vácuo de alumínio ultra limpo com 10 peças e 25 peças |
| Inventário existente | 200 parâmetros do inventário, espessura 100nm da camada do óxido, 200nm, 285nm, 300nm, 500nm, 1000nm, 2000nm |
| Introdução ao uso |
Usado para o revestimento de PVD/CVD como a carcaça, magnetron que sputtering a amostra do crescimento, XRD, carcaça do circuito do processo da litografia, força atômica Espectro infravermelho, espectro de fluorescência e outros substratos de análise e teste, substratos cultivados por epitaxia de feixe molecular e semicondutores de cristal de análise de raios X |
16. Phones e Accessories – Material : Tempered Glass
17. Sio2 Single Sided Wafer Óxido de Silício Polido 2 em 4 em 6 em – Nome da Marca : Bingoelec
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