Único Lado Silício Wafer Substrato si Placa Polimento de Cristal Único Alta Pureza 100um a 3000um tipo n p 4
Original price was: R$ 242,00.R$ 193,60Current price is: R$ 193,60.
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Ferramentas Abrasivas
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Ficha técnica do produto
| Características | Especificações |
|---|---|
| Suprimentos Para Bricolagem | Metalworking |
| Nome da Marca | Heepani |
| Origem | CN (origem) |
4 Polegada único lado silício wafer 100um – 3000um N/P tipo alta pureza único cristal polimento silício wafer substrato Si placa
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Pacote: 1 pcs/pack
Diâmetro e tolerância: 100 ± 0.4mm
Doping tipo: N tipo (fósforo, arsênico, antimônio) P tipo (boro dopado)
Orientação cristal: <111 >\< 100>
Resistividade: 0.001-50(O • cm) pode ser personalizado de acordo com as necessidades do cliente
Dados do processo: planicidade TIR: <3µm, warpage TTV: <10µm,
Bowness BOW< 10µm, rugosidade <0.5nm, granularidade <10 (para tamanho> 0.3µm)
Usado para o portador da amostra da radiação do síncrotron tal como a tecnologia, revestimento de PVD/CVD como a carcaça, magnetron que engasga a amostra do crescimento, XRD, SEM, força atômica, espectroscopia infravermelha, espectroscopia da fluorescência, etc. análise e substrato de teste, substrato de crescimento epitaxial feixe molecular, análise de raios X de semicondutores cristalinos.
1. Polimento de Cristal Único Alta Pureza 100um a 3000um tipo n p 4 – Característica : Acolchoadoliberação Rápida
2. High Quality Ferramenta – Cutomizado : Não
3. Ferramentas Abrasivas – Dispositivo Smart : no
4. Único Lado Silício Wafer Substrato si Placa – Leash : Durable Clap
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